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MOS结构

时间:2021-03-16   访问量:1332

MOS晶体管

MOS晶体管全称是MOS型场效应晶体管,简称MOS管。其中MOS的全称是MatelOxideSemiconductor,即金属氧化物半导体。这种晶体管结构简单,几何尺寸可以做得很小,输入阻抗高,功耗低,性能稳定,易于大规模集成。

MOS管的结构

以N沟道横向MOS管为例,其结构如下图所示,在P型半导体表面有一层薄膜氧化膜,氧化膜上再镀一层金属膜。在这层金属膜上施加一个正向电压。进一步再添加两个n+区域分别作为源区和漏区。这样芭乐视频官方网站下载就有了下面这个示意图。

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MOS管一般有三个级,分别是Source源极,Drain漏级和Gate栅极。

如果在同一个N型衬底上同时制造P沟道MOS管和N沟道MOS管(N沟道MOS管制作在P阱内),这就构成了CMOS。

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MOS管分类

MOS管按照沟道中载流子类型分为N沟MOS晶体管和P沟道MOS晶体管。其中N沟道MOS晶体管是衬底为P型,源漏为重掺杂的N=,沟道中载流子为电子;P沟MOS晶体管是衬底为N型,源漏为重掺杂的P+,沟道中载流子为空穴。在正常情况下,只有一种类型的载流子在工作,引出也称其单极晶体管。

按工作模式分增强型晶体管和耗尽型晶体管。增强型晶体管是指若在零栅压下不存在漏源导电沟道,为了形成导电沟道,需要施加一定的栅压,也就是说沟道要通过“增强”才能导通;而耗尽型晶体管是指器件本身在漏源之间就存在导电沟道,即使在零栅压下器件也是导通的。若要使器件截止,就必须施加栅压使沟道耗尽。

按功率分为小信号管和功率管。其中小信号管一般是指耗尽型场效应管,主要用于信号电路的控制;功率管一般是指增强型的场效应管,只要在电力开关电路,驱动电路等。


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